USBメモリに使われるNANDフラッシュをAIメモリに — HBMの750倍遅いはずのNANDで1.6TB/sを目指す「High Bandwidth Flash」の逆説
DRANK

7月14日、IEEE Spectrumが「The Memory in Your Thumb Drive Could Fix AI's Big Problem」と題した記事を公開した。HBM(High Bandwidth Memory)の1スタックあたり最大3.6TB/sに対し、NANDフラッシュは1ダイあたり最大4.8GB/s——約750倍の差がある。そのNANDフラッシュを積層・高帯域化することで、AI推論のメモリボトルネックを解消しようとする「High Bandwidth Flash(HBF)」の開発・標準化が始動している。

by @tf_official
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