MIT、380度以下で製造可能な次世代3D積層チップを開発 ─ AIハードウェアに革新をもたらす新技術

DRANK

MITの研究チームが、シリコンウェハー不要の革新的な3Dチップ製造技術を開発。380度以下の低温でTMD材料を直接積層する新手法により、従来の制限を突破。データセンター級の処理能力を持つAIチップの実現に向け、サムスンと米国空軍も支援する画期的な研究成果。